原文标题：存储市场回暖 HBM成新宠
先前，受制造商与内存供应商库存累积以及需求疲软影响，存储市场陷入严重衰退。自2021年第四季度开始，DRAM产品价格呈现连续八个季度的下滑，多数制程与产能受到下游需求的拖累，已经减产半年之久，导致供需平衡被打破。然而，随着厂家去库存的完成，供应商正逐步重新掌控议价权。
近期，包括海外存储厂商三星、SK海力士、美光，以及国内企业江波龙、佰维存储、兆易创新等在内的存储厂商纷纷发布最新业绩预告。尽管整体业绩仍呈下滑趋势，但市场已显现出一丝回暖迹象。
多位业内人士在接受《中国经营报》记者采访时表示，鉴于国际存储原厂实施减产及削减资本开支等措施，成效显著。此外，得益于单位成本降低，终端消费需求得以提振，特别是手机、个人电脑等主要存储应用市场逐步回暖。因此，存储行业开始摆脱下行周期，市场需求逐步复苏，主流存储器价格持续攀升。
复苏在即
从2022年年初开始，受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片价格不断下跌，市场进入了下行周期。
Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降了37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。国内外存储产业也因此承受巨大的经营压力，龙头企业如三星存储、海力士、美光等均出现明显亏损。然而，曾经历持续下跌的存储芯片价格已在2023年第四季度出现显著上涨。据知名行业咨询机构CFM关于闪存市场的数据，自2023年10月以来，现货市场NAND Flash（闪存）价格指数已累计上涨40%。
不仅如此，据中国台湾《电子时报》报道，近期，存储芯片领域两大巨头三星与美光宣布，计划在2024年第一季度将DRAM芯片价格上调15%—20%，该政策从今年1月份开始生效。部分厂商已收到三星的涨价通知。此外，“存储三巨头”之一的SK海力士已于去年10月公布涨价计划，预计将其供应给厂商客户的DRAM和NAND Flash芯片合约价上调10%—20%。其中，NAND Flash芯片报价仍未达到厂商盈亏平衡点，短期内或将再迎来高达50%的“暴力涨价”。
存储芯片涨价消息不断，各存储厂商也捷报频频。日前，三星电子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）财报，该季营收67.78万亿韩元，环比增长0.6%，同比下降3.8%。其中，存储业务营收15.71万亿韩元，环比增长49%，同比增长29%。
SK海力士2023财年第四季度收入为11.3055万亿韩元，营业利润为0.3460万亿韩元，成功实现扭亏为盈。
美光的亏损也进一步收窄，其公布的截至2023年11月30日的2024财年第一财季财报显示，该季美光营收47.3亿美元，同比增长15.6%，环比上升17.86%。第一财季营业亏损9.55亿美元，较上年同期收窄20.9%。
国内厂商方面，佰维存储（688525.SH）近日发布了2023年年度业绩预告，预计公司2023年度实现营业收入35亿—37亿元，同比增长20%—22%。其中，第四季度公司实现营收14亿—16亿元，同比增长超过80%，环比增长超过50%。
中信证券研报表示，从周期角度来看，行业正进入上行周期，短期内，在2024年第一季度，主流存储价格涨幅有望延续，利基存储价格相对稳定；预计全年主流存储价格延续上涨趋势，后续带动利基存储价格上行；成长角度，AI云端终端渗透率提升带动存力升级，释放创新及需求新动力。
对此，轩睿基金总经理盖宏指出，去年年底存储市场的上涨是由于厂商的主观调控，并非源于需求复苏，各存储原厂在过去一年里实施的减产策略直接导致了DRAM和NAND价格在2023年第四季度止跌回升。减产虽然可以在短期内缓解库存压力，提高产品价格，但从长远来看，并不能从根本上解决问题。只有下游需求得到有效提升，供需关系实现平衡，存储原厂才能真正走出困境。
然而，在半导体行业分析师王志伟看来，减产行为其实是原厂在面临市场竞争压力时的无奈抉择。存储原厂在追求业绩反转的过程中，减产以及控制产能释放成为他们所能采取的最迅速的策略。然而，这其中的关键因素仍然在于下游需求。供需关系的转变并非易事，这需要整个市场共同努力，以期在激烈的市场竞争中找到平衡点。在当前的市场环境下，原厂所面临的压力空前巨大。为了生存和发展，他们不得不通过调整产能来应对市场的波动。
押注HBM
各制造商在致力于减产涨价的同时，也在HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）领域展开了竞争。HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此，HBM正逐渐成为存储行业巨头在市场下行周期中，实现业绩反转的关键力量。
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